德FANAL壓力開關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見，德FANAL壓力開關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關(guān)系

德FANAL壓力開關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見，德FANAL壓力開關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關(guān)系

德FANAL壓力開關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見，德FANAL壓力開關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關(guān)系

德FANAL壓力開關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見，德FANAL壓力開關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關(guān)系

Fanal              TF 142-5 AC 06

fanal              TF 142-6 AC 06

fanal              TFL 142-1 AE 00/1W

fanal              TFL 142-2 AE 00/1W

*FANAL溫控器TFL 142-1 AE 00/1W

*FANAL溫控器TFL 142-1 AE 00/1W

fanal              TFL 142-3 AE 00/1W

fanal              TFL 142-4 AE 00/1W

德FANAL壓力開關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見，德FANAL壓力開關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關(guān)系